型号:SPD02N60S5 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 |
系列 | CoolMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.8A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3 欧姆 @ 1.1A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5.5V @ 80µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 9.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 240pF @ 25V |
功率_最大 | 25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | Digi-Reel® |
供应商
深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市欧立现代科技有限公司 | 胡先生 林小姐 朱先生0755-23999932 / 0755-83222787 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
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深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
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